HBM을 옆이 아니라 위에 — 삼성이 내놓은 zHBM 콘셉트

8월 초 미국 산타클라라에서 열린 FMS 2026(Flash Memory Summit)에서 삼성이 차세대 메모리 구조의 콘셉트를 공개했다. 요지는 하나다 — HBM을 GPU 옆에 두지 말고, 위에 쌓자.

사실

• 삼성은 8월 4일 FMS 2026에서 zHBM과 zNAND-O의 업계 첫 콘셉트 목업을 공개했다.
• zHBM은 HBM을 AI 가속기(GPU) 바로 위에 수직으로 적층하는 구조다. 기존 구조는 HBM이 GPU 옆에 나란히 놓이고 기판 배선으로 연결된다. 삼성은 이 구조가 HBM5 대비 약 8배의 성능, 10배 이상의 메모리 밀도를 낼 것으로 제시했다.
• zNAND-O는 기존 V-NAND 기술을 기반으로 한 차세대 낸드로, 4단·8단 구성을 개발 중이며 엣지 AI 환경을 겨냥한다고 밝혔다.
• 같은 자리에서 V10 BV-NAND(400단 이상, 새 본딩 구조)도 함께 공개했다.
• 발표는 개념 검증 단계이며, 양산 시점은 밝히지 않았다.

해석

HBM을 GPU 옆에서 위로 옮기는 발상 자체는 새롭지 않다 — 데이터가 오가는 물리적 거리를 줄이면 속도가 오르고 전력 소모가 준다는 원리는 반도체 설계의 오래된 상식이다. 다만 지금까지는 열 방출과 공정 난이도 때문에 GPU 바로 위에 메모리를 쌓는 것이 상용화 단계까지 가지 못했다.

삼성이 이 콘셉트를 지금 꺼낸 시점도 봐야 한다. SK하이닉스가 HBM4 양산과 장기공급계약으로 실적을 끌어올리는 사이, 삼성은 “다음 세대의 구조 자체를 먼저 제시”하는 쪽을 택했다. 실제 제품 경쟁이 아니라 로드맵 경쟁에서 주도권을 가져오려는 발표로 읽힌다.

아직 확인되지 않은 것

• 열 방출 문제를 구체적으로 어떻게 해결했는지는 공개되지 않았다. GPU 바로 위에 메모리를 쌓으면 그 열이 가장 뜨거운 지점에 그대로 얹히는 셈이라, 이 문제의 해법이 이 구조의 실현 가능성을 좌우한다.
• 8배·10배라는 수치가 어떤 조건에서 측정(또는 추정)된 것인지 별도로 공개되지 않았다.
• 양산 일정, 고객사 반응 모두 확인되지 않았다.

출처

• Samsung Semiconductor 공식 발표(2026.08.04)

도표는 위 발표 내용을 바탕으로 단순화해 직접 작성했다.